2026年10月22日
〜低コスト化と高い電力変換効率(WPE)を同時に達成可能な次世代の深紫外LEDを実現〜
国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT、理事長: 大野 英男)未来ICT研究所の井上 振一郎 室長らの研究グループは、世界で初めて高効率なトップエミッション型深紫外LEDの開発に成功しました。現在実用化されている深紫外LEDは、すべて基板側から光を取り出す「フリップチップ型(ボトムエミッション構造)」を採用しており、その製造コストや光利用効率に課題がありました。本研究では、マイクロリング電極構造とナノ光取出し構造を組み合わせた独自の素子構造を開発することで、チップ上面から直接的に深紫外光を高効率に取り出すことに成功しました。その結果、深紫外LEDの製造工程を大幅に簡略化でき、さらに、従来のフリップチップ型構造と比較して約35%高い電力変換効率(WPE)を実現しました。
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