1. トップ>
  2. 先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2025開催
印刷

開催趣旨

　AIのパーソナライズ化が潮流となる中、世界的な半導体技術の研究開発競争が激化している。またBeyond 5Gが提唱され、大容量情報通信のための光・高周波技術に関して材料・デバイスレベルでの研究開発が活発化している。新しいサービスやインフラが考案された時、デバイスや材料技術に⽴ち返って研究開発が活発になることは良くみられ、そのような時には出遅れている可能性が高い。そのため研究者は研究開発競争が始まる前に、未来社会像を想像しなら多様なデバイス技術に着手することが求められる。先端ICTデバイスラボでは「デバイス技術の多様性」を重視し、革新的デバイスの総合的な研究開発を推進している。例えば光・電波融合等の集積デバイス技術、量子技術、センシング技術、医療応用、さらに新機能材料のデバイス応用等である。本ミーティングでは、先端ICTデバイスラボで創出される魅力あるデバイス研究成果等について議論するとともに、オープンプラットフォームとして有機的なコミュニケーションを図ることで未来社会を想像する機会を作り、新たなデバイス研究のアイディア創出をめざす。

開催概要

先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2024の様子

■主催：国立研究開発法人情報通信研究機構ネットワーク研究所先端ＩＣＴデバイスラボ
■日時：以下の日程で開催します。
　　　令和7年1月10日(金) 13時00分 ～ 17時20分(予定)（開場12：30）
■場所：国立研究開発法人情報通信研究機構　本部
　　　　　当機構へのアクセスは⇒NICT本部 交通のご案内
　　　　：3号館1階　 セミナー室
　　　　：3号館1階　 エントランススペース
■参加費：無料
■参加方法：事前参加登録方式

プログラム（敬称略）

令和7年1月10日(金) 13時00分 ～ 17時20分(予定)（開場12：30）

13:00-13:10

開会挨拶・先端ICTデバイスラボの紹介

 情報通信研究機構　先端ICTデバイスラボ　山本 直克
13:10-13:50 招待講演
 「目立つ・つながる・挑戦する。京セラR＆Dのオープンイノベーション活動」
  京セラ株式会社 オープンイノベーション推進部　大崎 哲広
13:50-14:30 招待講演
 「メモリスタ：メモリデバイスの新展開」
 大阪大学大学院 電子光科学領域　酒井 朗
14:30-16:00  休憩・ポスターセッション 
16:00-16:40 招待講演
「説明可能AIを用いた顕微鏡画像の自動的な解釈：デバイス解析への展開」
 東京理科大学 電子物性材料工学　小嗣 真人
16:40-17:20 招待講演
 「半導体集積回路を応用した医工学デバイス開発」
  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学領域　笹川　清隆
17:20-17:25

講評・閉会挨拶

 TBD
17:35-18:55

懇親会

  参加費 学生 1000 円、⼀般 2500 円（予定）
 

ポスターセッション

番号 表題 発表者氏名 共著者名 発表者・共著者　所属機関名
1 中央配置可飽和吸収体量子ドットモードロックレーザの特性評価 簗瀬 智史1 赤羽 浩一2，松本 敦2, 梅沢 俊匡2，山本 直克2，
前田 智弘1，外林 秀之1		 1青山学院大学，2情報通信研究機構
2 3D-Lidarへの応用に向けた量子ドットレーザーの作製 丸山 晴己1 簗瀬 智史1，前田 智弘1，外林 秀之1，赤羽 浩一2 1青山学院大学，2情報通信研究機構
3 薄膜LN波長可変レーザーの特性評価 CHEN KELIN1 前田 智弘1，外林 秀之1，赤羽 浩一2 1青山学院大学，2情報通信研究機構
4 量子暗号通信に向けた通信波長帯単一光子源の作製 川本 青空1 前田 智弘1，外林 秀之1，赤羽 浩一2 1青山学院大学，2情報通信研究機構
5 2.5mm QD-SOAの利得と雑音指数の特性評価 千代 尚哉1 松本 敦2，中島 慎也2，梅沢 俊匡2，赤羽 浩一2，
前田 智弘1，外林 秀之1		 1青山学院大学，2情報通信研究機構
6 LiNbO3光導波路による非対称方向性結合器を用いたモード変換素子 榎原 晃1 中島 慎也2，赤羽 浩一2 1兵庫県立大学，2情報通信研究機構
7 高消光比多モード干渉計型電界吸収光変調器の設計と作製 長屋 陸人 荒川 太郎 横浜国立大学
8 Demonstration of Robust Mobile Free Space Optical
System using High-speed Beam Tracking and
2D-PDA-based Spatial-Diversity Reception		 Toshimasa Umezawa1 Zu-Kai Weng1, Yuki Yoshida1, Abdelmoula Bekkali2, Michikazu Hattori2,Atsushi Matsumoto1,
Atsushi Kanno1,3, Naokatsu Yamamoto1,
Tetsuya Kawanishi1,4, Kouichi Akahane1		 1NICT，2Toyo Electric Corporation，
3Nagoya Institute of Technology
4Waseda University
9 High-speed InAlAs-collector based avalanche/uni-traveling-carrier photodetector and effective heat spreading designs Yi Yaofeng1 梅沢 俊匡2，赤羽 浩一2，川西 哲也1,2 1早稲田大学，2情報通信研究機構　
10 シリコンフォトニクス光コンピューティングデバイスの基本素子の製作・検討 近藤 圭祐1 鐵本 智大2，古澤 健太郎2 1宇都宮大学，2情報研究通信機構
11 カーボンナノチューブ光デバイス技術の研究開発 安倍 悠朔1 冨岡 直毅1，浅野 宏二2，吉沢 勝美2，中島 慎也2，
山本 直克2，松田 佑1		 1早稲田大学大学院，2情報通信研究機構
12 単一半導体量子ドットにおける共鳴励起共鳴発光分光の開発 三森 康義1 伊原 亨1，山本 直克2，赤羽 浩一2 1北里大学，2情報通信研究機構
13 Phase-only designedメタサーフェス拡散板についての基礎検討 JIANG YUANHAO1 前田 智弘1，赤羽 純1，簗瀬 智史１，外林 秀之1，
浅野 宏二2，山本 直克2，赤羽 浩一2 		 1青山学院大学，2情報通信研究機構
14 InP(311)B基板上のBi系半導体MQW構造におけるアニール処理の効果 瀧音 雅文1 簗瀬 智史１，前田 智弘1，外林 秀之1，山本 直克2，
赤羽 浩一2		 1青山学院大学，2情報通信研究機構
15  p-InGaAs/n-InGaAs 界面を有するp-InP基板とn-GaAs基板の常温接合 藤井 駿太朗1 赤羽 浩一2　他 1千葉工業大学，2情報通信研究機構
16 高出力5W 638nmレーザー照射下でのInGaPパワーコンバータモジュールの特性 高橋 龍成1 赤羽 浩一2　他 1千葉工業大学，2情報通信研究機構
17 3接合InGaAs太陽電池の変換効率に対する照射レーザー波長依存性 青山 怜央1 赤羽 浩一2　他 1千葉工業大学，2情報通信研究機構
18 単結晶 β-Ga2O3におけるプラズマプロセス誘起キャリアプロファイル異常とその動的挙動 上村 崇史1 東脇 正高1, 2 1情報通信研究機構，2大阪公立大学
19 β-Ga2O3ホモエピタキシャル成長用基板表面のin situガスエッチング 角田 健太郎1 木川 孝俊1，河野 有佑1，大槻 匠2，上村 崇史2，
東脇 正高2,3，熊谷 義直1		 1東京農工大学，2情報通信研究機構，
3大阪公立大学
20 Fabrication and Electrical Characteristics of Ga2O3 FinFETs on β-Ga2O3 (010) Substrates  with on-axis (100)-plane Gate Sidewalls Zhenwei Wang1  Sandeep Kumar1,Takafumi Kamimura1,
Hisashi Murakami2，Yoshinao Kumagai2，
Masataka Higashiwaki1,3		 1NICT，
2University of Agriculture and Technology,
3Osaka Metropolitan University
21 SUPERLATTICE RESONANT TUNNELLING DIODE (RTD) FOR NEXT-GEN WIRELESS COMMUNICATION Cito Michele R. Machida, I. Watanabe NICT
22 InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造における電子移動度の向上 大場 達久1 神内 智揮1，海老原 怜央1，中島 渉1，町田 龍人2，
渡邊 一世2，山下 良美2，原 紳介2，笠松 章史2，
遠藤 聡1，藤代 博記1		 1東京理科大学，2情報通信研究機構　
23 300 GHz超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT 中島 渉1 河野 亮介1，吉田 陸人1，海老原 怜央1，神内 智揮1，
渡邊 一世2，山下 良美2，原 紳介2，笠松 章史2，
遠藤 聡1，藤代 博記1 		 1東京理科大学，2情報通信研究機構　
24 259-GHzフェーズドアレーCMOS受信モジュール 原 紳介1 ムバラク モハメド1, 笠松 章史1, 杉本 義喜2,
榊原 久二男2, 高野 恭弥3, 吉田 毅4, 天川 修平4,
藤島 実4		 1情報通信研究機構, 2名古屋工業大学,
3東京理科大学, 4広島大学,
25 アナログ積和演算回路の特性を含めた光リザバーシステムの出力推定 大塚 雄太1 関根 かをり1，和田 和千1，砂田 哲2
笠松 章史3，田野井 聡3，原 紳介3		 1明治大学，2金沢大学，3情報通信研究機構
26 180 nm CMOSを用いた2本腕バンディット問題を解くアナログ回路 坪井 凜1，
森光 平1		 関根 かをり1，和田 和千1，
笠松 章史2，田野井 聡2，原 紳介2， 		 1明治大学，2情報通信研究機構
27 強磁性体π接合を持つ超伝導磁束量子ビットの作製及び動作実証 金 鮮美1 Leonid V. Abdurakhimov，Duong Pham，Wei Qiu，
寺井 弘高1，Sahel Ashhab1，齊藤 志郎2，山下 太郎3，
仙場 浩一1,		 1情報通信研究機構，
2NTT 物性科学基礎研究所，3東北大学
28 テラヘルツ波発生用光デバイスの研究開発 古澤 健太郎，
岸本 直		 関根徳彦 テラヘルツ連携研究室
29 有機EOポリマーを用いたアンテナ結合型テラヘルツ光変調器の開発 梶 貴博 山田 俊樹，大友 明 情報通信研究機構
30 Beyond5G通信基盤を支えるミリ波～テラヘルツ波帯フレキシブル導波管
　～基盤技術の研究開発～		 深川 馨介1 渡邊 正2 1㈱米澤物産，2㈱導波技術研究所
31 テラヘルツセンシングのための光導波路デバイスの作製 出口 克海1 水津 光司1，諸橋 功2，中島 慎也2，関根 徳彦2，
寶迫 巌2,江島 昌輝1，浅野 侑希1，岡田 真拓1		 1千葉工業大学，2情報通信研究機構
32 有機EOポリマーを用いたテラヘルツ波検出技術の開発 山田 俊樹 梶 貴博，大友 明 情報通信研究機構
33 高感度テラヘルツ検出のための準MIM電磁波完全吸収体の開発 張 亜1 趙子豪1，原田 和歩1，諸橋 功2 1東京農工大学，2情報通信研究機構
34 テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G大容量無線通信技術の研究開発 爲末 和彦，
西 清次		 佐藤 拓朗，佐藤 俊雄，実野 邦久，川西 哲也 早稲田大学
35 Far-Infrared Nebular Emission Receiver for the Large Millimeter Telescope (FINER): Receiver Development Status at 120-210 GHz 酒井 剛1 康 浩然2，金平 宏陽，小嶋 崇文2， 田村 陽一，
竹腰 達哉，手塚 愛莉1，大島 泰，中島 拓3，増井 翔2		 1電気通信大学，2国立天文台，3名古屋大学，
4北見工業大学
36 Far-Infrared Nebular Emission Receiver for the Large Millimeter Telescope (FINER): Receiver Development Status at 210-360 GHz 康 浩然1 小嶋 崇文1，酒井 剛2， 田村 陽一，竹腰 達哉，
手塚 愛莉2，大島 泰，中島 拓3，増井 翔1		 1国立天文台，2電気通信大学，3名古屋大学，
4北見工業大学
37 100GHz帯導波管型周波数チューナブルフィルタの開発 中島 拓 谷川 貫太，小林 和宏，加藤 渉，西村 良太 名古屋大学
38 ステロオカメラと一体化した携帯型MIMO GB-SARの開発 河田 なな穂1,2 藤原 純3，泉 佑太4，渡邊 一世5，陳 強2，佐藤 源之1,2 1株式会社ALISys，2東北大学，
3アンテナ技研株式会社，4室蘭工業大学，
5情報通信研究機構
39 基板端方向に放射する150GHz帯AiP向け基板埋め込み型MSA 江上 晃弘1 枷場 亮祐1, 高橋 健2, 阿部 智希1, 森下 陽平1,
村田 智洋1, 中川 洋一1, 滝波 浩二1, 渡邊 一世3		 1パナソニック インダストリー(株),
2 (株)パナソニック システムネットワークス開発研究所,
3情報通信研究機構
40 先端ICTデバイスラボ
デバイス研究のオープンイノベーション拠点		 吉沢 勝美 　 情報通信研究機構

参加申し込みはこちらから

先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2025　(参加申請)フォーム
※別途メールのご案内の中で添付のエクセルにて参加申し込みを行っている方はこちらのフォームからの再度登録は不要です。
※定員数90名

お問い合わせ先