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2019年06月13日 (木) :先端ICTデバイスラボ 神戸のWEBページを公開しました。
先端ICTデバイスラボには、埃の非常に少ない状態に維持されたクリーンルーム(プロセス室)が設置され、中には、電子線や光による極微パターンの形成、分子線やプラズマによる高純度成膜、イオン線などによる極微細加工、電極形成や光ファイバとの接続、あるいは電子顕微鏡ほかによる微細形状観測や元素分析、その他各種のプロセスや測定のための設備・装置群が配備されていて、半導体や誘電体材料を用いた、様々な光デバイス・ミリ波デバイスの試作研究開発に活用することができます。熟練技術者グループが、それら設備・装置が常に適切な状態で使用できるように維持管理し、また、標準的な使用条件を利用者に提供できる態勢を整えています。防災のための安全対策や、廃棄物、あるいは排気、排水、騒音などに係る環境保全にも最大限に配慮しています。利用者が、光デバイス・ミリ波デバイスの試作研究開発に専念することができる環境を提供します。
光デバイスセンターを考える会 | 1998年10月 実施 |
調査研究:通総研における光情報通信デバイス研究の在り方 | 1999年3月 報告 |
要望:「光デバイス研究開発センター(仮称)」」の設置 | 1999年4月 提出 |
クリーンルーム性能条件に関する調査 | 2000年1月 報告 |
「光デバイス技術センター」の建設 | 2001年3月 竣工 |
クリーンルーム運用 | 2001年5月 開始 |
MBE装置等立上げ・運用 | 2001年6月 開始 |
光デバイス技術センター設備改修工事 | 2002年7月 完工 |
デバイス製造装置の設置 | 2003年7月 完了 |
光デバイス技術センターWWWサイトの公開 | 2004年2月 開始 |
光デバイス技術センター・フォーラム | 2004年2月 実施 |
共同研究の提案募集 | 2004年10月 開始 |
「フォトニックデバイスラボ」に改称 | 2006年5月 実施 |
ラボの環境マネジメントシステムのISO14001認証(審査登録) | 2007年2月 登録 |
「先端ICTデバイスラボ」に改称 | 2012年4月 実施 |
ラボの環境マネジメントシステムのISO14001認証拡大(更新審査) | 2012年12月 登録 |
新設備・装置の運用開始 | 2014年4月 開始 |
わたくしたちは、最先端のデバイス研究開発においても地球規模の環境を視野に入れて行うことが最重要課題の一つであると認識し、ラボ施設の維持管理にあたっては環境保全に最大限配慮します。
このため、先端ICTデバイスラボでは、ラボ施設の維持管理において、環境マネジメントシステムの国際規格であるISO14001に準拠した環境マネジメントシステムの構築と改善を進め、平成18年7月よりISO14001認証(審査登録)の取得に向けた活動を開始し、平成19年2月に(財)日本規格協会の審査を受けた結果、登録(フォトニックデバイスラボ)されました。その後、ミリ波デバイス技術のラボを統合して先端ICTデバイスラボとして更新審査を受け、登録されました。
2006年12月 |
準備作業 |
ラボの現状把握を実施 |
2006年7月 |
環境マネジメント |
ラボの環境マニュアルを作成 |
環境マネジメントシステム推進委員会を発足 |
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環境マネジメントの組織体制を整備 |
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フォトニックデバイスラボ環境方針を制定 |
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環境管理計画 |
環境目的・目標を決定/2006年度実施計画をスタート |
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2006年11月10日 |
内部監査実施 |
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2006年11月30日 |
外部機関による |
第一段階登録審査 |
2007年2月7日 |
第二段階登録審査 |
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2007年2月26日 |
審査登録 |
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2012年12月 |
ISO14001更新審査 |
ミリ波デバイス関連を統合、先端ICTデバイスラボとしての環境マネジメントシステムに対する審査 |
2013年2月 |
ISO14001更新登録 |
先端ICTデバイスラボとしてISO14001認証登録 |
2017年2月 |
ISO14001更新登録 |
2015年版の規格への移行完了 |
概要: |
先端ICTデバイスラボでは環境マネジメントシステムを構築しISO14001認証登録をしています。 |
登録者及び所在地: |
国立研究開発法人 情報通信研究機構 |
適用範囲: |
フォトニックデバイスラボ |
認証機関名: |
日本規格協会ソリューションズ株式会社 |
登録番号: |
JSAE 1317 |
適用規格: |
JIS Q 14001:2015, ISO 14001:2015 |
登録範囲: |
(JAB認定範囲番号;34) |
初回登録日: |
2007年2月26日 |
実験室には、「クリンルーム」と「測定室」とがあります。
クリンルームには各種のプロセス用装置を配置してあり、結晶基板上へのエピ成長から、誘電体・金属薄膜の成膜、微細パターン形成、ドライエッチング加工など様々なプロセスの実験が可能です。
クリンルーム1:一般プロセス用 | クリンルーム2:リソグラフィプロセス用 | |
室面積 | 約420平方メートル (天井高2.8m) | 約76平方メートル (天井高2.8m) |
空気清浄度 | クラス10,000 | クラス100 |
室温 | 23±2 ℃ | 23±2 ℃ |
湿度 | 45±10% (RH) | 45±10% (RH) |
室内圧 | +15 Pa | +25 Pa |
その他 | 黄色照明 |
クリンルームには共通ユーティリティとして、超純水、循環冷却水、窒素ガス、液化窒素、高圧空気などが供給されており、プロセス装置の24時間運転を可能にしています。
(左)廃液処理設備/液化窒素CE設備(右)
また、廃液の回収処理設備、プロセス排ガス除害設備、ガス漏洩検知警報システム、複数のカメラによる映像監視システムなどの設備により、環境・安全対策を図っています。
クリンルームには各種のプロセス用装置を配置してあり、半導体基板上への各種薄膜成長から、誘電体・金属薄膜の成膜、微細パターン形成、ドライエッチング加工など様々なプロセスの実験が可能です。
設置装置・・・メタルスパッタ装置、電子ビーム露光装置、マスクアライナー、ドライエッチング装置、ランプ加熱装置、表面微細形状計測装置、各種ドラフタ、レジスト塗布装置、純水供給設備など
103基板加工室(ミリ波研究棟1階)
基板加工室では、ダイシング、バックグライディング、ウェハ洗浄などの後工程プロセス装置が利用できます(上図)。
なお、テープマウンタ、エキスパンダー、UV照射器、ブレーカーは203評価室に設置しています(下図)。
設置装置・・・レーザーソー、ダイシングソー、バックグラインダ、ウェハ洗浄装置、純水リサイクル装置、測定顕微鏡、膜厚計など
108分析室(ミリ波研究棟1階)
分析室では、デバイスへの電極形成のための真空蒸着装置やPL測定やX線回折などの種々のプロセス装置・評価機器が利用できます。
設置装置・・・EB蒸着装置、小型抵抗蒸着装置、PL測定装置、XRD、ラマン分光装置、FTIRなど
203評価室(ミリ波研究棟2階)
評価室では、ネットワークアナライザなどによりSパラメータ測定などデバイス特性評価を行うための種々の高周波計測機器が利用できます。
設置機器・・・ネットワークアナライザ、周波数エクステンダ、プローブステーション、半導体パラメータアナライザ、信号発生器、スペクトラムアナライザなど
207実験室(ミリ波研究棟2階)
ご提案日 | |
ご提案者氏名・所属 | |
ご連絡先 | |
共同研究題目 | |
研究の背景 | |
研究の概要 | |
期待される成果 | |
研究計画概要 | |
専用コンタクトアドレス | AICT.inquiry@ml.nict.go.jp 国立研究開発法人 情報通信研究機構 先端ICTデバイスラボ 事務局 |