100ギガビットイーサネット向け超低消費電力トランシーバ回路を開発

インターネット普及による加入者の増大や放送通信融合時代に向けた高精細画質(HD:High Definition)の映像配信･利用サービスの拡大など、ネットワークトラフィックは年々急速な増大を続けており、それを支える通信ネットワークには、さらなる高速化、大容量化が求められています。現在のインターネット通信では、通信速度10ギガビット/秒(以下、Gb/s)のイーサネットが普及していますが、さらなる高速化を図るため、2010年6月に向けて、現行の10倍となる100Gb/sの高速通信が可能な次世代イーサネットの国際標準規格化が進められており、各国が 100GbE関連技術の開発に取り組んでいます。特に、高速化とともに増大する伝送装置の消費電力の抑制が課題となっていることから、トランシーバでは、1Gb/sあたり1mW以下の達成をマイルストーンとする低消費電力回路の世界的な開発競争が進められています。

このたび、日立は、総務省およびNICTの支援を受けて、100GbE向けに、伝送速度12.5Gb/sの低電力トランシーバ回路を考案しました。今回、定常電流を削減する回路技術(電圧電流モード併用出力回路)と、従来のトランシーバ回路では2系統を必要としたクロックを1系統に削減する回路技術(単相クロック位相比較回路）を開発し、十分な性能を確保しつつ大幅な省電力化を実現しました。また、65ナノメートルのCMOS半導体技術を用いて試作したトランシーバ回路の動作検証を行ったところ、伝送速度12.5Gb/sで、100GbE仕様となるビット誤り率10^-12の双方向通信を、消費電力12.3mWで行うことができることを確認しました。1Gb/sあたりの消費電力は0.98mWとなり、トランシーバ回路において、伝送速度あたりの消費電力が1mWを下回る性能を確認したのは、今回が世界で初めてです。さらに、今回試作したトランシーバ回路は、乾電池や太陽電池を電源とした場合においても、安定的に連続動作することを確認しました。

今回試作したトランシーバ回路は、100GbEのほか、サーバやルータなどの情報処理装置内のLSI間の信号伝送への適用も見込むことができます。さらに、低消費電力が必須となる携帯機器向けのシステムLSIへの適用も可能であり、IT機器の省電力化に広く寄与する回路技術として期待できます。

なお、本技術の詳細は、平成22年2月7日(日)から米国のサンフランシスコで開催されている国際固体素子回路会議(ISSCC 2010:International Solid State Circuits Conference)にて、2月10日(水)(現地時間)に発表します。

光ファイバを利用して、100Gb/sの伝送速度を実現する国際標準のイーサネット伝送方式。2010年6月に予定されている国際標準策定に向けて、25Gb/sの光信号を4多重して1本の光ファイバで伝送する方式、10Gb/sの電気信号を10本並列に伝送する方式など、複数方式の標準化が進められている。電気信号の送受信を行うトランシーバ回路には、10Gb/sでの伝送を補償するために、これを上回る伝送性能が必要とされる。

SERializer/DESerializerの略で、多ビットのデジタル信号を並列直列変換し、1本のデジタル信号で送る伝送回路方式。ギガビットを超える伝送速度の電気伝送、光伝送に広く用いられる。

Institute of Electrical and Electronics Engineersの略で、米国に本部を有する電気･電子分野における世界最大の学会。

複数の100ギガビット級信号を、1,000kmレベルの範囲内のLAN(Local Area Network)内/LAN間で自由に転送可能にする電気信号基盤技術。2008年から2011年までの4年間のプロジェクトで開発中。

Complementary Metal-Oxide Semiconductorの略で、相補型金属酸化膜半導体。

通信回線などでデータ伝送の信頼性を示す指標の1つで、誤ったデータに変わる確率。