Oバンド量子ドット光ゲインチップ

1.3μm帯二電極量子ドットレーザーダイオード。

電界吸収素子（EA）をモノリシックに集積した二電極構造。

ゲインチップとしてSOAへの応用も可能。

超小型光コム発生器や、高速長距離光伝送に向けた変調器付レーザー光源としての応用が期待される。

Oバンド量子ドット光ゲインチップ　有償サンプル提供のご案内

１.価格

40,000円（税抜価格、１個の価格）

ご提供価格は製作実費で設定させていただいております。
　サンプル本体価格のほかに、消費税と送料をご負担いただきます。

2.寸法図

チップ外形寸法  1560um(L)×500um(W)×150um(t)
第二電極導波路長  220um
BCB導波路埋め込み角度  光軸に対し7度

●関連ページ
　・Characterization of Wavelength-Tunable Quantum Dot External Cavity Laser for 1.3-μm-Waveband Coherent Light Sources （NICT研究成果公開システム・英語ページ）
　　外部共振器型波長可変量子ドットコヒーレント光源の開発（NICT研究成果公開システム・日本語ページ）
　・Quantum Dot Optical Frequency Comb Laser with Mode-Selection Technique　for 1-μm Waveband Photonic Transport System（NICT研究成果公開システム・英語ページ／日本語ページ）

３．サンプルの代表特性

●絶対最大定格

	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
保存温度	TST	15		35	deg. C
動作温度	TOP-ABS	18	20	30	deg. C
最大光出力	P0-MAX		2		mW

●代表特性

	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
動作温度条件	TOP		20		deg. C
動作電流	IOP		100		mA
中心波長	λ	1270		1315	nm
光帯域幅	ΔλCutoff		45		nm
光出力*	P0	-3		3	dBm
ビーム発散角	θ//		50		deg
ビーム発散角	θ⊥		10		deg

※　研究における試作物であるため、上記特性を保証するものではございません。
※　ご利用には研究、実験、評価等の目的を想定しております。品質、信頼性についての保証は致しかねますので、製品販売等の用途ではご利用いただけません。

4.提供可能なOバンド量子ドット光ゲインチップ　ラインアップ

以下の寸法のOバンド量子ドット光ゲインチップも提供可能です。

		第二電極(EA)長
全長	1560μm	80μm	120μm	150μm	220μm	0μm
	1950μm	120μm	150μm	220μm	300μm	0μm
	3900μm	220μm	300μm	420μm	550μm	0μm

それぞれに対し導波路を光軸に対し0°と7°に配した物をお選びいただけます。

5.お申込み

サンプル提供にあたっては、「研究成果物購入申込書」をご提出いただき、「研究成果物売買契約書」を締結します。
提供をご希望の方は、電子メールに「サンプル名称と数量と用途」を記載し、下記のお問合せ先あてに、ご連絡ください。折り返し、こちらからご連絡を差し上げます。

　なお、量子ドット光ゲインチップの自社製造や製品化についても、下記お問い合わせ先まで、ご連絡ください。