Tバンド量子ドット光半導体ウェハー

InGaAs量子ドットを8層積層した、2インチの1μm帯量子ドット光半導体ウェハー。クラッド構造は典型的なGaAs/AlGaAs。通信用、加工用、センサー用半導体レーザー、SOA等への応用が期待される。

Tバンド量子ドット光半導体ウェハー　有償サンプル提供のご案内

１.価格

５２，０００円（税抜価格、１個の価格）

ご提供価格は製作実費で設定させていただいております。
　サンプル本体価格のほかに、消費税と送料をご負担いただきます。

2.寸法図

チップ外形寸法

３．サンプルの代表特性

●形状仕様・特性

	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
ウェハサイズ	D		2		inch
ウェハ厚	T		350		um
コア層厚	T_core		400		nm
クラッド層厚	T_CLAD		1500		nm
クラッドAI比	X_AI		30	50	%
量子ドット積層数	M	-	8	-	Layers
発光中心波長^＊	λ	1000	1060	1260	nm
発光帯域幅^＊	Δλ_FWHM		40		nm

＊　フォトルミネッセンスによる評価

※　研究における試作物であるため、上記特性を保証するものではございません。
※　ご利用には研究、実験、評価等の目的を想定しております。品質、信頼性についての保証は致しかねますので、製品販売等の用途ではご利用いただけません。

5.お申込み

サンプル提供にあたっては、「研究成果物購入申込書」をご提出いただき、「研究成果物売買契約書」を締結します。
提供をご希望の方は、電子メールに「サンプル名称と数量と用途」を記載し、下記のお問合せ先あてに、ご連絡ください。折り返し、こちらからご連絡を差し上げます。

　なお、Tバンド量子ドット光半導体ウェハーの自社製造や製品化についても、下記お問い合わせ先まで、ご連絡ください。