極低温下において動作可能なトランジスタは、室温環境下で動作するトランジスタに比べ、雑音特性(NF)が低く、高性能化が期待される。特にインジウム・リン(InP)系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は従来用いられているガリウム・ヒ素(GaAs)系HEMTに比べ、優れたNF特性を実現可能と考えられており、電波天文台や電波天文衛星、そして通信基地局用の高感度受信機などに期待されています。
現在、極低温下(～16 K)においてトランジスタ特性の評価が可能なシステムの研究を行っております。図1は極低温DC、RF測定システムの外観と極低温チャンバー内部の写真です。
