はじめに
窒化インジウム（InN）は、結晶の分解温度が低く、格子整合する基板が存在しないことなどから、結晶成長が非常に困難であるために、高品質な結晶が得ることが難しい材料でした。しかし、最近になり低温成長可能なRF-MBE法により徐々に結晶品質の改善がなされ、現在比較的高品質な結晶が得られるようになってきています。高品質な結晶が得られるようになった結果として、その新しい物性が明らかになりつつあり、ここ2-3年非常に注目を集めている新しい窒化物半導体であります。我々は、RF-MBEにより世界最高レベルの品質を有するInN単結晶の作製に成功しております。
研究成果
我々は、RF-MBE法により高品質なInN薄膜をサファイア基板上に成長しております。また、得られた結晶から様々なInN物性に関する新しい知見を我々のグループ内での評価だけでなく、国内外の多くの大学、研究機関との研究協力の成果として報告してきております。
．Undope InN
バックグラウンド電子濃度 n < 1e18 cm-3
移動度 u = 1600 cm2/Vs
．表面ラフネス : RMS < 3 nm
．バンドギャップ Eg = 0.6-0.65 eV
．シュブニコフドハース振動観測
