• 印刷

InGaAs量子ドットを8層積層した、2インチの1μm帯量子ドット光半導体ウェハー。クラッド構造は典型的なGaAs/AlGaAs。通信用、加工用、センサー用半導体レーザー、SOA等への応用が期待される。

Tバンド量子ドット光半導体ウェハー 　有償サンプル提供のご案内

１.価格

５２，０００円（税抜価格、１個の価格）

ご提供価格は製作実費で設定させていただいております。

サンプル本体価格のほかに、消費税と送料をご負担いただきます。

2.寸法図

チップ外形寸法

概形図

３．サンプルの代表特性

●形状仕様・特性

  Symbol Min Typ Max Unit
ウェハサイズ D   2   inch
ウェハ厚 T   350   um
コア層厚 Tcore    400   nm
クラッド層厚 TCLAD   1500   nm
クラッドAI比 XAI    30 50 %
量子ドット積層数 M -  8 - Layers
発光中心波長＊ λ 1000  1060 1260 nm
発光帯域幅＊ ΔλFWHM    40   nm

＊　フォトルミネッセンスによる評価

※　研究における試作物であるため、上記特性を保証するものではございません。
※　ご利用には研究、実験、評価等の目的を想定しております。品質、信頼性についての保証は致しかねますので、製品販売等の用途ではご利用いただけません。

5.お申込み

サンプル提供にあたっては、「研究成果物購入申込書」をご提出いただき、「研究成果物売買契約書」を締結します。
提供をご希望の方は、電子メールに「サンプル名称と数量と用途」を記載し、下記のお問合せ先あてに、ご連絡ください。折り返し、こちらからご連絡を差し上げます。

なお、Tバンド量子ドット光半導体ウェハーの自社製造や製品化についても、下記お問い合わせ先まで、ご連絡ください。

6.お申し込み・お問い合わせ先

イノベーション推進部門　知財活用推進室

TEL.042-327-6950

FAX.042-327-6659

E-mail: