Oバンド量子ドット光ゲインチップ
1.3μm帯二電極量子ドットレーザーダイオード。
電界吸収素子（EA）をモノリシックに集積した二電極構造。
ゲインチップとしてSOAへの応用も可能。
超小型光コム発生器や、高速長距離光伝送に向けた変調器付レーザー光源としての応用が期待される。
Oバンド量子ドット光ゲインチップ 有償サンプル提供のご案内
１.価格
40,000円（税抜価格、１個の価格）
ご提供価格は製作実費で設定させていただいております。
サンプル本体価格のほかに、消費税と送料をご負担いただきます。
2.寸法図
チップ外形寸法 1560um(L)×500um(W)×150um(t)
第二電極導波路長 220um
BCB導波路埋め込み角度 光軸に対し7度
・Characterization of Wavelength-Tunable Quantum Dot External Cavity Laser for 1.3-μm-Waveband Coherent Light Sources （NICT研究成果公開システム・ 英語ページ）
外部共振器型波長可変量子ドットコヒーレント光源の開発（NICT研究成果公開システム・ 日本語ページ）
・Quantum Dot Optical Frequency Comb Laser with Mode-Selection Technique for 1-μm Waveband Photonic Transport System（NICT研究成果公開システム・ 英語ページ／ 日本語ページ）
３．サンプルの代表特性
●絶対最大定格
| Symbol | Min | Typ | Max | Unit | |
| 保存温度 | TST | 15 | 35 | deg. C | |
| 動作温度 | TOP-ABS | 18 | 20 | 30 | deg. C |
| 最大光出力 | P0-MAX | 2 | mW |
●代表特性
| Symbol | Min | Typ | Max | Unit | |
| 動作温度条件 | TOP | 20 | deg. C | ||
| 動作電流 | IOP | 100 | mA | ||
| 中心波長 | λ | 1270 | 1315 | nm | |
| 光帯域幅 | ΔλCutoff | 45 | nm | ||
| 光出力* | P0 | -3 | 3 | dBm | |
| ビーム発散角 | θ// | 50 | deg | ||
| θ⊥ | 10 | deg |
※ 研究における試作物であるため、上記特性を保証するものではございません。
※ ご利用には研究、実験、評価等の目的を想定しております。品質、信頼性についての保証は致しかねますので、製品販売等の用途ではご利用いただけません。
4.提供可能なOバンド量子ドット光ゲインチップ ラインアップ
以下の寸法のOバンド量子ドット光ゲインチップも提供可能です。
| 第二電極(EA)長 | ||||||
|
全長 |
1560μm | 80μm | 120μm | 150μm | 220μm | 0μm |
| 1950μm | 120μm | 150μm | 220μm | 300μm | 0μm | |
| 3900μm | 220μm | 300μm | 420μm | 550μm | 0μm | |
それぞれに対し導波路を光軸に対し0°と7°に配した物をお選びいただけます。
5.お申込み
サンプル提供にあたっては、「研究成果物購入申込書」をご提出いただき、「研究成果物売買契約書」を締結します。
提供をご希望の方は、電子メールに「サンプル名称と数量と用途」を記載し、下記のお問合せ先あてに、ご連絡ください。折り返し、こちらからご連絡を差し上げます。
なお、量子ドット光ゲインチップの自社製造や製品化についても、下記お問い合わせ先まで、ご連絡ください。
6.お申し込み・お問い合わせ先
イノベーション推進部門 知財活用推進室
TEL.042-327-6950
FAX.042-327-6659
E-mail:
